Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。是全球第一家量產(chǎn)MRAM的供貨商，并透過(guò)持續(xù)提升技術(shù)與擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合來(lái)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的發(fā)展。Everspin提供市場(chǎng)上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，以協(xié)助客戶開(kāi)發(fā)獨(dú)特且極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品 。（ （ Everspin公司是 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（ （MRAM） ）和 集成磁（ （Integrated Magnetic） ） 產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者

主要從事： 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)與傳感器的開(kāi)發(fā)和制造工作

目標(biāo)市場(chǎng)： 儲(chǔ)存、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、消費(fèi)、運(yùn)輸、和航空電子

 

• MRAM讀取/寫(xiě)入周期時(shí)間：35ns；

• 真正無(wú)限次擦除使用；

• 業(yè)內(nèi)最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間----超過(guò)20年的非揮發(fā)特性；

• 單芯片最高容量為16Mb；

• 快速、簡(jiǎn)單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；

• 具有成本效益----簡(jiǎn)單到只有一個(gè)晶體管、一個(gè)磁性穿隧結(jié)(1T-1MTJ)位單元；

• 最佳等級(jí)的軟錯(cuò)誤率----遠(yuǎn)比其它內(nèi)存優(yōu)異；

• 可取代多種存儲(chǔ)器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身；

• 具備商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、擴(kuò)展級(jí)和汽車(chē)級(jí)的可選溫度范圍；

• 符合RoHS規(guī)范：無(wú)電池、無(wú)鉛；

• 小封裝：TSOP、VGA、DFN。

 

 

Eversin 的利MRAM是以可在邏上的磁隧道MTJ p 專技術(shù)沉積標(biāo)準(zhǔn)輯制程性結(jié)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層(fixed layer)，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)(tunnel barrier)與其隔離的自由層(free layer)。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性。而當(dāng)自由層被施予反方向的極化時(shí)，MTJ便會(huì)有高電阻。此一磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)流經(jīng)兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場(chǎng)時(shí)，在兩金屬線交點(diǎn)的MTJ就會(huì)被極化(寫(xiě)入)。此過(guò)程能以SRAM的速度完成。

本文關(guān)鍵詞：SRAM  EEPROM  MRAM  Everspin

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