各種同步型SRAM比較 （二）
2017-08-21 15:06:24
四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM： 盡管推出了NoBL型架構(gòu)并使性能較之標(biāo)準(zhǔn)同步型SRAM有所改善，但某些系統(tǒng)對性能有著更高的要求。于是，賽普拉斯、Renesas、IDT、NEC和三星等幾家公司聯(lián)合開發(fā)出了QDR型SRAM。QDR架構(gòu)旨在滿足那些要求低延遲且所需帶寬明顯高于NoBL型架構(gòu)提供能力的“高帶寬需求型”系統(tǒng)的需要。 QDR型SRAM與NoBL型SRAM最為顯著的差異之一是前者的讀端口和寫端口是分開的。這些端口可獨(dú)立工作，并支持并行的讀和寫事務(wù)處理。QDR型 SRAM能夠以DDR傳輸速率（2倍）來支持兩項同時出現(xiàn)的事務(wù)處理，四倍數(shù)據(jù)速率（QDR）的名稱便是由此得來的。 QDR型SRAM具有兩種基本類型：即2字脈沖串和4字脈沖串。這兩種類型之間的差異在于每項事務(wù)處理過程中所支持的脈沖串長度。
QDR-II型SRAM：QDR- II型SRAM與QDR型SRAM相似，但在性能方面進(jìn)一步提升。與相同頻率的QDR型器件相比，QDR-II型SRAM所產(chǎn)生的總數(shù)據(jù)有效窗口面積大了 35[%]左右。另外，QDR-II型SRAM產(chǎn)品還比QDR型器件多了一個半延遲周期。這增加的半個時鐘周期可在對初始延遲影響極小的情況下提供高得多的頻率和帶寬。
DDR型SRAM ：如果QDR型SRAM面向的是具有平衡讀/寫模式的應(yīng)用，DDR型SRAM架構(gòu)則主要針對那些需要進(jìn)行數(shù)據(jù)流式傳輸（例如，后隨多項寫操作的多項讀操作）、且所需帶寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)同步型器件或NoBL型器件的應(yīng)用。DDR型SRAM具有出眾的整體總線利用率以及高得多的總帶寬，性能也因此得到了最大限度的提升。
和QDR型SRAM一樣，DDR型SRAM也有兩種格式：即2字脈沖串和4字脈沖串。究竟選擇哪一種取決于所需的數(shù)據(jù)顆粒度以及存儲器的數(shù)據(jù)總線寬度。
本文關(guān)鍵詞：DDR型
SRAM QDR-II型SRAM 四倍數(shù)據(jù)速率（QDRTM）型SRAM
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