外部SRAM作為存儲中等大小的數據模塊的緩沖表現良好?？梢允褂猛獠縎RAM作為不適合片內存儲器且反應時間又低于SDRAM的數據緩存。還可以將多個SRAM相組合以增加容量。
 
SRAM也是隨機尋址數據的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數據，反應時間與存取有序地址的數據一樣短，而SDRAM在這一點上做得并不好。SRAM是大型LUT的理想存儲器種類，能夠儲存諸如對于片內存儲器來說過于巨大的色彩轉換運算法則數據。
 
外部SRAM作為執行存儲器為無緩存的CPU工作時表現相對良好。當CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲器的高反應時間時，外部SRAM的低反映時間特性有助于改善CPU的性能。
 
為使外部SRAM器件達到出最佳性能，建議遵循使用與連接的主系統控制器的接口數據帶寬相同的SRAM。如果管腳使用或板上空間的限制高于系統性能要求，可以使用較連接的控制器的數據帶寬小一些的SRAM設備，以便減少管腳數量并減少PCB板上可能的存儲器數量。然而，這種變化將導致降低SRAM接口的性能。
 
國產SRAM芯片廠家偉凌創芯SCLPSRAC1是一款可用于外擴MCU的靜態SRAM，容量為512Kbit的Serial SRAM，它在內部組織為64K字，每個字8位。最大時鐘頻率20MHz，提供高速性能和低功耗。電源電壓范圍為2.7V~3.6V，工作電流最大2mA@1MHz，待機電流最大15µA@25℃，可在-40℃至+85℃（工業級）的溫度范圍內工作，并采用節省空間的8-TSSOP標準封裝封裝。代理商英尚微支持提供樣品測試及產品相關技術支持。


本文關鍵詞：SRAM,外擴SRAM,SCLPSRAC1

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