Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

2018-05-25 14:36:44

Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設計，制造領導者，其市場和應用領域的數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。憑借在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產品，Everspin建立了世界上MRAM用戶最強大，發展最快的基礎。

這款4Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR2A16A目標應用為工業自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統受限于需采用SRAM設計的系統。

MR2A16A采用400-mil、44引腳薄小外形TSOP2封裝，或8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。這兩種封裝形式均與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。

特性

256K x 16 MRAM存儲器 (MR2A16A)

35ns的快速讀/寫周期

SRAM兼容時序，采用現有的SRAM控制器，而無需重新設計

出色的耐讀/寫能力

在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失

一個存儲器即可替代系統中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設計

用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，無需組裝電池，也了提高可靠性

3.3V電源

掉電時提供自動數據保護功能

商業、工業以及汽車級溫度范圍

符合RoHS標準的SRAM TSOPII封裝

符合RoHS標準的SRAM BGA封裝，電路板面積縮小3倍
?型號表如下

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關鍵詞：Everspin

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

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Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

2018-05-25 14:36:44

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