MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
 
    MRAM是汽車應(yīng)用的理想選擇存儲芯片,MRAM具有快速且不易失的特點。實時監(jiān)控的傳感器數(shù)據(jù)可以實時寫入，而不需要負載均衡或ECC開銷。AEC-Q100 1級合格的MRAM將在發(fā)動機罩下應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)的延長溫度（-40℃至125℃）下保留數(shù)據(jù)20年。意外斷電不會影響數(shù)據(jù)完整性。
 
    英尚微提供的STT-MRAM。數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，容量從1Mbit到16Mbit不等。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8 I/O模式。采用工業(yè)標準44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。
 
    英尚微提供的NETSOL MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。
 
    使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)，因此閃存難以保持這種數(shù)據(jù)流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器，用于檢測和記錄乘客的體重，與車輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。
 

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