MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/寫時序，具有無限的耐用性。數據在超過20年的時間里始終是非易失性的。數據通過低壓抑制電路在斷電時自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。MR0D08BMA45R是必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用的理想內存解決方案。
 
MR0D08BMA45R采用小尺寸8mmx8mm、48引腳球柵陣列(BGA)封裝，在廣泛的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供商業(yè)溫度（0至+70℃）。此款MRAM存儲器可取代系統中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，實現更簡單、更高效的設計。通過更換電池供電的SRAM提高可靠性。
 
特征
+3.3伏電源
•I/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏寬接口
•45ns的快速讀/寫周期
•SRAM兼容時序
•無限讀寫耐力
•數據在溫度下超過20年始終非易失性
•符合RoHS的小尺寸BGA封裝
 
Everspin Technologies, Inc是設計制造和商業(yè)化分立和MRAM和STT-MRAM進入數據持久性和應用程序的市場和應用領域的翹楚。完整性、低延遲和安全性至關重要。Everspin非易失性存儲MRAM在數據中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和交通運輸市場，建立了世界上最強大和增長最快的 MRAM 用戶基礎。  


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