據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，自2016年下半年以來(lái)NANDFlash在市場(chǎng)上供不應(yīng)求，主要是因?yàn)樵瓘S全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場(chǎng)出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，價(jià)格也因此直線飆升。
      但是， 3DNAND正在加速量產(chǎn)，今年下半年產(chǎn)能如果能夠順利開出，將成為NANDFlash市場(chǎng)最大變數(shù)。
2DNANDFlash制程持續(xù)往1y／1z納米進(jìn)行微縮，例如三星和SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14 nm，西部數(shù)據(jù)（WD）和東芝進(jìn)入15nm，美光導(dǎo)入16 nm等。但因芯片線寬線距已達(dá)物理極限，2DNAND技術(shù)發(fā)展遇到了瓶頸，用1y／1z納米生產(chǎn)的2DNAND不能產(chǎn)生成本效益，于是，NANDFlash廠開始將投資主力放在3DNAND，但也因產(chǎn)能出現(xiàn)問題，NANDFlash產(chǎn)出量明顯減少，導(dǎo)致下半年價(jià)格一路飆升。
      2016年NANDFlash價(jià)錢從第二季度開始全面上升，漲勢(shì)持續(xù)到年末，主流的SSD價(jià)格漲幅超過40%，eMMC價(jià)格漲幅最高逼近6成，完全出乎市場(chǎng)意料。在這樣的情況下，原廠為了維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，決定加速進(jìn)入3DNAND市場(chǎng)，而今年也會(huì)成為3DNAND市場(chǎng)快速成長(zhǎng)爆發(fā)的一年，產(chǎn)能軍備競(jìng)賽可說(shuō)是劍拔弩張。
      以各原廠的技術(shù)進(jìn)程來(lái)看，三星上一年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3DNAND，2016年底出貨量占比已達(dá)35％，最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片，3DNAND的出貨比重將在第一季度達(dá)到45％。此外，三星不僅在西安廠全面量產(chǎn)3DNAND，韓國(guó)Fab17／18也將投入3DNAND量產(chǎn)。
      包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3DNAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年，良率直到去年底才見穩(wěn)定回升，生產(chǎn)比重均不及1成。不過，今年開始3DNAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn)，東芝及WD已開始小量生產(chǎn)64層存儲(chǔ)芯片，今年生產(chǎn)主力將開始移轉(zhuǎn)至64層3DNAND，除了Fab5開始提高投片外，F(xiàn)ab2將在本季轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)64層3DNAND，F(xiàn)ab6新廠將動(dòng)土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。
      SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產(chǎn)上已漸入佳境，M12廠已量產(chǎn)3DNAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進(jìn)入小量投片，而韓國(guó)M14廠也將在今年全面進(jìn)入3DNAND量產(chǎn)階段。
      美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進(jìn)行3DNAND量產(chǎn)，去年底第二代64層3DNAND已順利送樣，今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)，F(xiàn)10x廠 也會(huì)開始全面轉(zhuǎn)向進(jìn)行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3DNAND，并將在今年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲(chǔ)器。
 

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